NXP reduz dimensões de rádios 5G para RF

Os novos módulos da empresa permitem que os provedores de soluções de rede criem rádios 5G mais finos e leves para operadoras de rede móvel, reduzindo o ciclo geral de design

Rich Handley

A NXP Semiconductors anunciou uma família de módulos amplificadores de radiofrequência (RF) resfriados na parte superior, com base em um design de embalagem destinado a permitir rádios mais finos e leves para infraestrutura 5G. Essas estações base menores podem ser instaladas de forma mais fácil e econômica, relata o NXP, e se misturam de forma mais discreta em seu ambiente. A série de módulos multichip GaN da NXP, combinada com uma solução de resfriamento superior para energia de RF, reduz a espessura e o peso dos rádios em mais de 20 por cento, enquanto diminui a pegada de carbono para a fabricação e implantação de estações base 5G.

“O resfriamento superior representa uma oportunidade significativa para a indústria de infraestrutura sem fio, combinando recursos de alta potência com desempenho térmico avançado para permitir um subsistema de RF menor”, disse Pierre Piel, vice-presidente da NXP e gerente geral de energia de rádio, em uma declaração preparada. “Essa inovação oferece uma solução para a implantação de estações base mais ecológicas, ao mesmo tempo em que permite a densidade de rede necessária para aproveitar todos os benefícios de desempenho do 5G”.

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NXP reduz dimensões de rádios 5G para RF

Os novos dispositivos resfriados na parte superior são projetados para fornecer benefícios de design e fabricação, relatórios NXP, incluindo a remoção de blindagens de RF dedicadas, o uso de uma placa de circuito impresso econômica e simplificada e a separação do gerenciamento térmico do design de RF. Esses recursos, de acordo com a empresa, permitem que os provedores de soluções de rede criem rádios 5G mais finos e leves para operadoras de rede móvel, reduzindo o ciclo geral de design.

A primeira série de módulos de potência de RF resfriados na parte superior da NXP foi projetada para rádios 32T32R de 200 watts cobrindo 3,3 a 3,8 GHz. Os dispositivos combinam as tecnologias internas de semicondutores LDMOS e GaN da empresa para permitir alto ganho e eficiência com desempenho de banda larga, indica o NXP, e oferecer ganho de 31 dB e 46% de eficiência em 400 MHz de largura de banda instantânea.

Os produtos A5M34TG140-TC, A5M35TG140-TC e A5M36TG140-TC da empresa já estão disponíveis, e o A5M36TG140-TC será suportado pela série de placas de referência RapidRF da NXP.

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